日本半導(dǎo)體設(shè)備配件進(jìn)口報(bào)關(guān)資料到廣州南沙港案例

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　　貨物信息：

　　1、商品名稱 舊ALD沉積系統(tǒng)（4|3|用于半導(dǎo)體行業(yè)|將物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學(xué)氣相一層一層的沉積）原產(chǎn)國(guó)：日本 2臺(tái)

　　2、商品名稱 舊CVD沉積系統(tǒng)（4|3|用于半導(dǎo)體行業(yè)|將物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學(xué)氣相一層一層的沉積）原產(chǎn)國(guó)：日本 1臺(tái)

　　3、商品名稱 舊擴(kuò)散爐（4|3|用于半導(dǎo)體行業(yè)|在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散）原產(chǎn)國(guó)：日本 1臺(tái)

　　4、商品名稱 舊擴(kuò)散爐（4|3|用于半導(dǎo)體行業(yè)|在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散）原產(chǎn)國(guó)：日本 1臺(tái)

　　5、商品名稱 舊擴(kuò)散爐（4|3|用于半導(dǎo)體行業(yè)|在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散）原產(chǎn)國(guó)：日本 3臺(tái)

　　6、商品名稱 舊擴(kuò)散爐（4|3|用于半導(dǎo)體行業(yè)|在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散）原產(chǎn)國(guó)：日本 4臺(tái)

　　進(jìn)口日期：2023年12月12日

　　二、日本半導(dǎo)體設(shè)備配件進(jìn)口報(bào)關(guān)資料提供哪些？

　　1、半導(dǎo)體設(shè)備中文品名清單信息（品名/型號(hào)/數(shù)量/產(chǎn)地/品牌/貨值/制造年份/新舊程度）

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　　5、半導(dǎo)體設(shè)備裝箱單+發(fā)票+合同

　　6、半導(dǎo)體設(shè)備裝運(yùn)前檢驗(yàn)證書(shū)（CCIC檢驗(yàn)證書(shū)）

　　7、半導(dǎo)體設(shè)備海運(yùn)提單+到貨通知書(shū)

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